三星2nm工艺良率仅30% 追赶台积电面临诸多挑战

台积电、Intel、三星均计划在2025年底量产2nm级工艺。台积电的2nm工艺已获得15家客户订单，而三星的2nm工艺虽然技术先进，但良率问题较为突出。三星2nm工艺采用了第二代GAA晶体管结构和BSPDN背面供电技术，与Intel的18A工艺类似。然而，三星2nm工艺的良率仅为30%，用于首发的Exynos2600芯片面积较小，良率约为50%。目前，三星工厂仅产出1.5万片晶圆，仅占GalaxyS26需求的30%，且主要用于韩版机型，海外版本仍需使用骁龙芯片。

三星还承担了特斯拉AI芯片的代工任务，计划在明年AI6芯片试产前将良率提升至50%，并最终达到70%才能稳定供货。相比之下，台积电的2nm工艺进展更为顺利，已获得多个客户订单，良率基本过关。