SK 海力士开始供应移动端NAND闪存解决方案 ZUFS 4.1

在数据传输方面，该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，速率高达4300MB/s。

SK 海力士今日宣布，已正式向客户供应其全球率先实现量产的移动端 NAND 闪存解决方案产品 ZUFS 4.1。

SK 海力士表示：“此次产品搭载于全球手机制造商的最新款智能手机，再次彰显了公司在全球市场中的技术优势。该产品将为智能手机提供更强大的端侧 AI 功能支持，为用户带来全新的使用体验。”

随着端侧AI需求的不断增长，终端设备在计算性能与电池效率之间的平衡变得愈发关键。超薄设计和低功耗已成为当今移动设备行业的核心标准。SK 海力士此次推出的新品正是顺应了这一趋势。

与上一代基于238层NAND闪存的产品相比，新品在能效方面提升了7%。同时，在产品设计上，SK 海力士成功将产品厚度从1mm减薄至0.85mm，使其完美适配超薄智能手机的需求。

在数据传输方面，该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，速率高达4300MB/s。尤为其随机读取和写入速度相较于上一代产品分别提升了15%和40%，达到了UFS 4.1产品中的全球顶尖水平。这一提升对于移动设备的多任务处理能力具有重要意义。

为了满足不同用户的需求，该产品提供了512GB和1TB两种容量规格。

SK 海力士通过与客户的密切合作，于今年 6 月成功完成了该产品的客户验证。在此基础上，7 月正式进入量产阶段，并开始向客户供应。

ZUFS (Zoned UFS) 是将分区存储（Zoned Storage）技术应用于 UFS 的扩展规格，可将不同用途和特性的数据进行分区（Zone）存储。

通用闪存存储（UFS，Universal Flash Storage）：应用于智能手机和平板电脑等移动终端设备的高速闪存规格。自 2011 年 UFS 1.0 问世以来，已历经 2.0（2013 年）、2.1（2016 年）、3.0（2018 年）、3.1（2020 年）、4.0（2022 年）及 4.1（2025 年）等多代演进，每一代均在数据处理速度和能效方面实现显著提升。

ZUFS 作为 UFS 的扩展规格，由 JEDEC 于 2023 年首次发布。基于 JEDEC 发布的 UFS4.1 规格，SK 海力士在 2025 年完成了 ZUFS 4.1 的开发。

此外，相较于去年 5 月开发的 4.0 版本，公司在该产品的错误处理能力上进行了显著增强。通过更精确地检测错误，并将所需处理方案清晰传达至中央处理器，预计系统的可靠性和恢复能力将得到大幅提升。

SK 海力士 AI Infra 担当金柱善社长（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“此次成功开始供应的 ZUFS 4.1，是公司在研发和量产过程中，通过与客户紧密合作，对安卓操作系统及存储进行优化的首个案例，其应用范围将不断扩大。”他进一步强调，“公司将持续及时向客户供应所需的 NAND 闪存解决方案，并加强与全球领先企业的合作伙伴关系，以在面向 AI 的存储器领域构建差异化竞争优势。”

此外，三星SK海力士还正开发移动HBM，但这两家公司对于“移动HBM”的技术策略有所不同。三星是通过堆叠LPDDR DRAM来大幅增加输入/输出（I/O）端子的产品，也被称为“低延迟宽输入/输出（LLW）”DRAM。可以确认，三星电子一直致力于确保移动HBM的性能和稳定性。三星电子此前宣布将使用铜柱连接堆叠的 DRAM。

这就是“VCS（垂直铜柱堆叠）”方法，即将从晶圆上切割下来的 DRAM（芯片）以台阶形状堆叠起来，用环氧材料使其硬化，然后在其上钻孔并用铜填充。

另一方面，SK海力士选择铜线而不是铜柱。它在连接元件和工艺顺序方面与三星电子不同，它使用铜线连接堆叠的 DRAM，然后将环氧树脂注入空白处以使其硬化。它被称为“VFO（垂直线扇出）”，类似于当前使用MUF材料填充 DRAM 堆栈之间的间隙以实现 HBM 的方法。

以三星电子的案例来说，由于将环氧树脂钻入模具中，因此可以形成坚固的铜柱。具有优异的产品稳定性，有利于创造更多的输入/输出端子。然而，它非常耗时且昂贵，因为它需要使用蚀刻或激光钻孔并使用电镀形成铜柱，关键是确保价格竞争力。

SK Hynix 使用一种称为“引线键合”的工艺来连接铜线，这比钻孔更容易、更经济。然而，在环氧树脂填充过程中，细铜线可能会被推挤或脱落。

因此，MUF方式HBM在开发初期就提出了DRAM之间微凸块（焊球）损坏的问题。 SK Hynix通过改进MUF和工艺进步解决了这个问题，但这也成为了移动HBM必须解决的课题。

*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。

想要获取半导体产业的前沿洞见、技术速递、趋势解析，关注我们！